碳化硅(SiC)深沟球轴承
碳化硅(SiC)全陶瓷深沟球轴承是将碳化硅(SiC)陶瓷的极致硬度与耐温性与深沟球结构相结合的特种轴承,它的特点是在超高温和强腐蚀工况下,具备极致的耐磨性和尺寸稳定性。
1.核心优势:优越的耐磨性,碳化硅(SiC)的硬度很高(仅次于金刚石),是氮化硅的1.5倍以上,在含颗粒介质或频繁启停的工况下,耐磨寿命非常长。极高的耐温性,可长期在1000°C至1400°C的超高温环境中稳定工作,耐热性优于氮化硅(Si3N4);极佳的耐腐蚀性对酸、碱和腐蚀性介质都具有极高的化学惰性,耐腐蚀性优于氮化硅(Si3N4)。
2.性能特点:高刚性,弹性模量很高,受力时几乎不变形,能提供极致稳定的旋转支撑。自润滑,在润滑剂失效或真空环境下,仍能依靠材料特性短时运行。电绝缘与无磁,完全杜绝电蚀,适用于对磁控溅射要求严格的设备。
3.碳化硅(SiC)与氮化硅(Si3N4)全陶瓷深沟球轴承的对比,碳化硅(SiC)更耐磨、更耐温、更耐腐蚀,但更脆、更难加工,适合1000°C以上超高温、强酸碱、强磨损。典型应用航空航天:涡轮发动机、燃料泵等高温部件,半导体设备:蚀刻机、CVD设备等强腐蚀环境,化工泵阀:输送强酸强碱介质的接口设备,医疗设备:灭菌罐、高速牙钻等需耐高温消毒的设备,超高温窑炉:温度超过1000℃的工业炉。
注意事项
碳化硅(SiC)比氮化硅(Si3N4)更硬、更脆,抗冲击和抗振动能力极差,对安装、使用的要求比氮化硅更苛刻,稍有不慎即可能开裂。
碳化硅(SiC)材料由于脆性的原因限制了其实际许用转速,通常不建议用于高速场合。
常用结构配置内圈、外圈、球、保持架、耐腐蚀性能、最高使用温度如表所列请您参考。
| 碳化硅(SiC)全陶瓷深沟球轴承配置表 | ||||||
| 内/外套圈 | 球 | 保持架 | 耐腐蚀性能 | 最高使用温度 | 应用场合 | 备注 |
| SiC | SiC | PTFE | 优秀 | 180℃ | 半导体设备、LCD设备、洗净机设备、电子行业、高温窑炉设备、化工设备、电镀设备、医疗器械、食品机械、纺织机械 | 产品根据不同的使用环境,可选择不同的配置方案,欢迎您咨询,我们将为您提供适合的解决方案 |
| SiC | SiC | PEEK | 优秀 | 260℃ | ||
| SiC | SiC | PVDF | 优秀 | 150℃ | ||
| SiC | SiC | PP | 优秀 | 90℃ | ||
| SiC | SiC | 满装球无保持架Full ball | 优秀 | 1400℃ | ||